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GaN led外延片微结构分析及性能研究

本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

GaN led量子阱光发射模型

在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

cu掺杂zno薄膜的光学性质

采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13

2011年GaN led市场仅增长1% 至87亿美金,企业利润不容乐观

经过2010年60% 的高速增长,ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓,仅增长1% 至87亿美金。主要原因有:占据 60% GaN led营收的背

  https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49

三菱化学将量产白色led用GaN基板

三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化镓(GaN)基板。

  https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19

aln缓冲层对alGaN表面形貌的影响

使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的alGaN样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(上)

GaN(氮化镓)作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00

三菱化学将量产白色led用GaN基板

据报导,为了让照明用led进一步普及,三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10,达每平方公分1,000日圆的水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05

水晶盐灯---时代的绿色环保先锋

山周围的巴基斯坦的卡拉奇的天然矿盐。做水晶盐灯的的主要是一种粉红色的透明岩盐,呈晶体状,由于所含铁离子的成份不同,水晶盐灯的会呈现或粉红、或橙色、或乳白色等天然的光晕效果,如焕如

  http://blog.alighting.cn/lightsalt/archive/2011/9/14/236307.html2011/9/14 9:29:34

三安光电GaN基薄膜led获美国专利证书

三安光电称,此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率,有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32

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