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器的背光照明。随着 hbleD 技术的不断发展，hbleD发光效率可以达到 35 至 50 lm/w(流明/瓦)，已经超过了白炽灯和卤素灯，并可以与荧光灯相媲美。如果hbleD 技
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133882.html2011/2/19 23:39:00
个电路图显示非隔离转换器电路的最基本实现方式，是一个将交流电源以D1到D4进行整流，接着通过电感器l1、mosfet -q1、输出电容c4以及控制器所组成降压转换电路。在这个9
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光l e D 具有体积小，使用可进行平面封装，或根据使用环境或状况使用多颗或进行多种组合，并且具有发热量低，发光寿命长( 5 万小时以上)、不易破，极具耐震与耐冲击性，可在较恶劣的
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够获得高多的亮度，但因过大的面积，在应用过程和结果上也会出现适得其反的现象。所以，针对这样的问题，部分leD业者就根据电极构造的改良，和覆晶的构造，在芯片表面进行改良，来达到5
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D公司最新推出的高速、专用于rgb视频的模数转换器件aD9884a-140型。 aD9884是智能型vga、svga、xga显示转换专用的高速(500mhz模拟带宽)8
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133857.html2011/2/19 23:32:00
多的组件实现了 leD 电流的渐进式开关功能 应用使能信号 (enable signal) 时，r3 将慢慢给 c3 充电，此举会慢慢开启 q1。tps61040 会通过 D
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而复始，vcut经过电阻分压，与基准电压做比较，控制上端mos管的导通电阻，改变充电回路的rc充电常数，最终使输出稳定在5 v。图3为控制脉冲时序图，其中D1为s1的驱动信号，低有
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以，针对这样的问题，部分leD业者就根据电极构造的改进和覆晶的构造，在芯片表面进行改良，来达到50lm/w的发光效率。例如在白光leD覆晶封装的部分，由于发光层很接近封装的附近，发
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
层透露，满足客户需求将是优先考量，因此会策略性订价。日本相关媒体预计，11寸oleD电视的售价会在35-50万日元之间。 索尼在东京展示11寸有机电激发光电视
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比。由于主电路变压器降压后168 v交流输人，整流滤波后电压为200 v(带负载情况下)，所以占空比控制在0～100％，则可斩波输出0～200 v电压。即pwm脉宽从0～50弘s。根
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