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日厂住友电工首创绿色雷射用2寸gan基板量产技术

色雷射、尺寸达2寸,位错密度达10的5次方的半极性及非极性氮化(gan)基

  https://www.alighting.cn/news/20101125/116903.htm2010/11/25 9:32:04

led灯具散热技术分析

行说明,着重分析了散热器材料、金属基板及辐射,通过定量比较,旨在说明led照明灯具系统设计时应注意的问题,帮助工程师设计出更好的产品。 随着氮化基第三代半导体的兴起,蓝色和白

  http://blog.alighting.cn/ahwlkj/archive/2010/11/22/115868.html2010/11/22 17:07:00

上海蓝光借力母公司出拳背光领域

股的大陆首家从事氮化鎵基led外延..

  https://www.alighting.cn/news/20101122/86173.htm2010/11/22 0:00:00

发光二极管照明灯具封装创新探讨

率的方向发展,一个贴片内封装三、四个led芯片,可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装,在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片,内部的联

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115531.html2010/11/20 23:14:00

[原创]产业政策为led的发展创造政策环境

”,成立了“欧洲光电产业联盟”。   韩国在2000年制定了“氮化半导体开发计划”,成立了光产业振兴会。 美国在2001年启动的“下一代照明计划(ngli)”及2002年设立的

  http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/11/19/115267.html2010/11/19 16:14:00

封装界面对热阻影响也很大

成,没有使用黏结剂,因此导热性能好、强度高、绝缘性强,如图2(b)所示。其中氮化铝(aln)的热导率为160w/mk,热膨胀系数为4.0×10-6/℃(与硅的热膨胀系数3.2×10-6

  http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115035.html2010/11/18 16:56:00

封装界面对热阻影响也很大

成,没有使用黏结剂,因此导热性能好、强度高、绝缘性强,如图2(b)所示。其中氮化铝(aln)的热导率为160w/mk,热膨胀系数为4.0×10-6/℃(与硅的热膨胀系数3.2×10-6

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115034.html2010/11/18 16:41:00

可调色温、显指的白光大功率led封装技术分析

业内普遍通过在**荧光粉内加入红色荧光粉的方法,其光谱图如图3所示: 图3   由于红色荧光粉材质多为氮化物或硅酸盐,其激发效率往往偏低其老化衰减较大。   采用红光晶

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115014.html2010/11/18 16:01:00

关于白光led的两种做法

把以上所说的三种半导体二极管统统叫做发光二极管[1-4]. 发光二极管是由ⅲ-v族化合物,如gaas(砷化)、gap(磷化)、gaasp(磷砷化)等半导体制成的,其核心是pn

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00

led技术及运用

是开发蓝光led时,碳化矽(sic)与氮化(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时,必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。  之前,全球许多大公司皆投

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00

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