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led芯片的制造工艺流程

着就开始用激光机切割led外延片(以前切割led外延片主要用钻石刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,如图所示:  1、主要对电压、波长、亮度进行测试,能符

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

半导体泵浦调q激光器*激光器*长春博盛量子

半导体泵浦调q激光器 激光晶体和波长 nd:yag/nd:yvo4 nd:ylf 最大输出能量 uv laser 266 nm 262, 263 nm 50 mw, 40 m

  http://blog.alighting.cn/bosheng987/archive/2010/3/12/35760.html2010/3/12 14:21:00

雷电冲击电压|冲击电压发生器

击电压波长得多,形状比较复杂,而且它的形状和持续时间,随线路的具体参数和长度的不同而有异,不过目前国际上趋向于用一种几百微秒波前和几千微秒波长的长脉冲来代表它。雷电波又可分全波和截

  http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/6/1/47260.html2010/6/1 9:07:00

led基础知识

为光谱表,表中的三个顶点为理想的原色波长。如果原色有偏差,则可合成颜色的区域会减小,光谱表中的三角形会缩小,从视觉角度来看,色彩不仅会有偏差,丰富程度减少。 led发出的红、绿、蓝

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109145.html2010/10/20 17:22:00

浅析可提高led光效的芯片发光层结构设计

d外延生长技术和多量子阱结构的发展,人们在精确控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破,处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的a1ingap基led,内量子效率

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00

[转载]灯光照明——模块化和智能化成为led照明创新趋势

其蓝光强度最少有1,000mw/cm2而时间要持续约10秒。张广文介绍,现在新开发的蓝光led,无论是波长和功率都乎合以上要求。张广文建议,可使用cree xlamp mc-

  http://blog.alighting.cn/yakeys/archive/2011/5/4/169968.html2011/5/4 12:40:00

led照明创新趋势 :模块化和智能化

论是波长和功率都乎合以上要求。张广文建议,可使用cree xlamp mc-e blue蓝光led.它是4芯片封装led,波长范围是465 - 480nm,功率是1,480mw

  http://blog.alighting.cn/tyki/archive/2011/5/6/176313.html2011/5/6 9:45:00

模块化和智能化成为led照明创新趋势

在新开发的蓝光led,无论是波长和功率都乎合以上要求。张广文建议,可使用creexlampmc-eblue蓝光led。它是4芯片封装led,波长范围是465-480nm,功率是

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222278.html2011/6/20 22:39:00

用万用表检测发光二极管led

系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示:λ(μm)=1.2396/eg(ev)  发光二极管(led)一

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00

led光学参数的测量技术与led国家光度标准的研究

网技术论文?led照明2、led光参数介绍led的光学参数中重要的几个方面就是:光通量、发光效率、发光强度、光强分布、波长。2.1发光效率和光通量发光效率就是光通量与电功率之比。发

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233053.html2011/8/19 23:47:00

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