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led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

凝胶型led 封装材料础聚合物的制备及性能

通过开环聚合制备了透明的聚( 二甲??甲??甲乙烯) 硅氧烷共聚物, 考察了聚合条件对产物结构与性能 的影响。

  https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:31:58

三种led衬底材料的比较

于2英寸。  当前用于GaNled的衬

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00

我国首台国产led芯片设备mocvd机台下线

计开发出了具有自主智慧财产权的mocvd设备,并完成了第一代单腔体独立设备和高产出率的簇式生产系统的生产组装,成功地实现GaNled外延片的发光。 经过设备原型机近1年的运行证明

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/7/302819.html2012/12/7 20:46:07

我国首台国产led芯片设备mocvd机台下线

计开发出了具有自主智慧财产权的mocvd设备,并完成了第一代单腔体独立设备和高产出率的簇式生产系统的生产组装,成功地实现GaNled外延片的发光。 经过设备原型机近1年的运行证明

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304165.html2012/12/17 19:33:48

平均照度计算方法

室?内?照?明?的?一?些??本?计?算?方?法。

  https://www.alighting.cn/resource/2014/11/6/18447_68.htm2014/11/6 18:04:47

shwzbk20

【回收塑料网讯】:废塑料复合材料可再利用。具体如下:

  http://blog.alighting.cn/110474/2011/9/20 10:00:47

晶元芯片:inGaN venus blue led chip es-ceblv10f【pdf】

晶元inGaNled chip:es-ceblv10f【pdf】文档下载。

  https://www.alighting.cn/resource/20110315/127885.htm2011/3/15 12:02:21

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