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在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
近日，中国紫晶光电投资股份有限公司宣布，将投资29亿元人民币在乌鲁木齐建设led蓝宝石晶体生产项目。目前，该项目也是中科院科技援疆重点项目之一。
https://www.alighting.cn/news/20110909/114732.htm2011/9/9 11:10:11
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了inGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响用
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
led蓝宝石晶体生产项目是乌鲁木齐高新区(新市区)在首届亚欧博览会上签约的9个外引内联项目之一。9个项目资金总额310亿元，比2010年乌洽会增长50%，刷新了历史记录。
https://www.alighting.cn/news/20110906/114771.htm2011/9/6 10:55:25
