站内搜索
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
一家隐身在土城、员工数不到两百人的小堡厂，靠着制作机台与塑胶盒子等，竟然能创造出将近50%的毛利率，还跃上世界舞台，成为台湾唯一一家18英寸晶圆光罩国际标准规格制定者! 2011
https://www.alighting.cn/news/20110919/114599.htm2011/9/19 9:29:39
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
经过2010年60% 的高速增长，ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓，仅增长1% 至87亿美金。主要原因有：占据 60% GaN led营收的背
https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49
三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化镓(GaN)基板。
https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19
GaN（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
