检索首页
阿拉丁已为您找到约 1620条相关结果 (用时 0.0098986 秒)

激光处理的蓝宝石可增加hvpe gan厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)、纳

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

提高发光二极管中gan_材料质量的技术研究

本论文目标就是以方法简便为原则,探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中,我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜

  https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11

氢化物气相外延自支撑gan衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

led衬底的选择与外延工艺设备

本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况,读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22

最新突破:led芯片抗反向静电能力达到3kv

韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称:“这种led芯片

  https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35

2011年led行业发展十大趋势

2011年伊始,新世纪led网对led行业的发展做了大胆的预测,欢迎同行参与交流,批评指正;

  https://www.alighting.cn/resource/20110324/127832.htm2011/3/24 15:14:31

浪潮华光:走差异化道路是避免恶性竞争的核心

快速扩张引发的迅速膨胀,库存所带来的危机,产业结构的失衡,核心技术的缺失,价格战,倒闭潮……变动的时局,艰难的抉择,2013年,led行业到底路往何方?重重围困下,led人到底该如

  https://www.alighting.cn/news/20130131/85338.htm2013/1/31 16:40:51

国际巨头ceo热议led市场

来自日亚化学、飞利浦、cree、ge、维易科、爱思强、晶元光电的众多国际ceo们,究竟会如何看待和把握这场产业革命的方向与节奏、又会如何调整在中国市场的布署策略等。

  https://www.alighting.cn/news/20120514/85517.htm2012/5/14 10:59:05

中科院陈弘博士:led新技术将给国内企业带来巨变

2010年12月4日,在广州珠江宾馆举办的aom 2010 ——“广东省led产业升级及后续发展之路”高峰论坛上,中科院物理研究所陈弘博士发表了主题为《纳米技术在白光发光二极管中的

  https://www.alighting.cn/news/20101209/85724.htm2010/12/9 21:39:52

北京大学教授沈波:MOCVD国产化,需用产官研

2010年12月4日,华南师范大学在广州珠江宾馆承办了“2010年光电子与微纳光子进展国际会议”。北京大学物理学院副院长、“长江学者”特聘教授沈波博士参加了早上的“光电子与微纳光子

  https://www.alighting.cn/news/20101209/85725.htm2010/12/9 21:16:35

首页 上一页 80 81 82 83 84 85 86 87 下一页