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讨论了采用MOCVD在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
龙交通总经理陈斌表示，led照明灯上游MOCVD机台到2011年将有5倍的增长，必将引来15倍的产能扩张。而背光源是今年的扩张产能最好的释放口，如果背光源今年的增长达到预期，那
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/8/243463.html2011/10/8 9:29:55
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
2011年9月22日上午，李兴华厅长在中科院半导体所李晋闽所长、国家半导体产业联盟吴玲秘书长、广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)陈志祥副院长的陪同下，视察了广东省中科宏微半
https://www.alighting.cn/news/20110929/114744.htm2011/9/29 9:59:13
李兴华厅长对项目实施取得的积极成效给予充分肯定，并寄语中科宏微公司把握我省led产业发展的战略机遇，加大工作力度，力争在年底前完成量产型MOCVD国产化设备的工艺调试，打破长期以
https://www.alighting.cn/news/2011928/n471234757.htm2011/9/28 8:52:09
持续两年多的led投资热潮终于开始急刹车了。昨日，张家港经济开发区招商局有关负责人透露，协鑫光电在今年3月开工建设的张家港led外延芯片项目已停建，转而改建太阳能光伏项目。
https://www.alighting.cn/news/20110927/100595.htm2011/9/27 16:40:10
出来。随着上游芯片研发新技术的成熟和供应商MOCVD外延炉容量的不断扩大，将会大大降低led单位生产成本，从而扫除led进入普通照明的最大成本障碍。 家居照明设计 情景照明设计 办
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/9/26/239331.html2011/9/26 13:24:02
业化，加快国产设备的应用，实现国产MOCVD设备的突
https://www.alighting.cn/news/20110926/89914.htm2011/9/26 11:17:55
据有关机构近日发布的led照明行业研究报告称，由于背光市场达不到预期目标，且国产的相关生产设备无法取得突破，下游的封装环节无法掌控核心技术，今年led产值预估将减少。
https://www.alighting.cn/news/20110926/90130.htm2011/9/26 10:23:21
