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0万小时。 bad208多功能手持强光工作灯 防水抗摔：精密的结构设计，优质的抗冲击PC合金材料，确保产品抗强力冲击和碰撞；独特的多重防水结构，可在雨中正常工作，且对水雾有较强的穿
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/229996.html2011/7/18 14:15:00
日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说，他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称，该技术能使平
https://www.alighting.cn/news/20110718/100410.htm2011/7/18 11:05:43
一、PC屏液晶电视随着液晶显示器生产技术的逐步提高,电脑的液晶显示器的价格业逐步下降,不少消费者为了节约成本,在液晶显示器上面接上一块外置或者是内置的电视卡,这个可以说是最为简
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229956.html2011/7/17 23:34:00
示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00
素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
离,分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。这样获得的氮化镓厚膜优点非常明显,即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位错密度,比在al2o3、sic上外延的氮化镓薄膜的位错密度要明显低；但价
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
