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随着技术的发展，led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（gan）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部份会溶于光阻显影液。 正型光阻剂及负型光阻剂主要是应用在led芯片制造的金属电极蒸镀lift-off制程中，由于led电极所使用的金
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120517.html2010/12/13 22:51:00
能有效地提取出来。 这个低效的缺点意味着背光模组需要更多的led，这就增加了成本。为了提高光提取效率，研究者们开发出了几种技术来提取被内部全反射束缚在芯片中的光。 商业led制
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
用单位是mcd，即毫坎德拉。数值越高，说明发光强度越大，也就是越亮。这是选择led灯带的重要指标，亮度要求越高的灯带价格越贵，这是因为高亮度的led芯片价格偏贵。 3）led数
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120514.html2010/12/13 22:49:00
度的蓝色及纯绿色半导体芯片制造技术主要掌握在日本，美国等少数公司手中，造成价格比较昂贵。应用于显示屏的led发光材料有以下几种形式： ①led发光灯(或称单灯) 一般
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120512.html2010/12/13 22:48:00
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： ·蓝宝石（al2o
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - n型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
“蓝光技术”与荧光粉配合形成白光；第二种是多种单色光混合方法。这两种方法都已能成功产生白光器件。第一种方法产生白光的系统如图1所示，图中ledgam芯片发蓝光（λp=465nm），
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120507.html2010/12/13 22:42:00
