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led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

第一章 外延在光电产业角色 近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品蓝光及绿光发光二级管led及激光二级管ld的应用无

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00

高亮度led之「封装光通」原理技术探析

子照明及公众显示,车用灯、交通号志灯、看板讯息跑马灯、大型影视墙,甚至是投影机内的照明等,其应用仍在持续延伸。 更重要的是,led的亮度效率就同摩尔定律(moore''s la

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

led生产工艺及封装技术(生产步骤)

节,工艺上主要需要监控的是压焊金丝(铝丝)拱丝形状,焊点形状,拉力。   对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题,金(铝)丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀(钢嘴)选用、劈刀(

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00

低端8位mcu使高亮度汽车led控制成为可能

出功率不同。传统的led的输出功率一般仅限于50mw以下,但hbled却能够提供1-5w的输出功率。 想要获得恒流源有许多不同的方法,使用串联电阻器、线性电流源或开关调整

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00

超高亮led的驱动

右,白色led的价格达到了2.2~5.5元/个左右;果将几十个单体led组合,其成本将大大增加,把一个led安装在草坪灯里,其单价就相当于一般草坪灯的几倍,led要成为未来照

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00

oled mg/ag阴极的真空蒸镀及成膜特性

级lif/al/lif/ al 量子阱[4]阴极结合起来,以及对其它结构alq3/al,alq3/lif/al和 alq3/al/lif/al等,人们也有相当多的研究。众所周知,基

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00

基于avr单片机的led显示屏的灰度设计与实现

富的片内资源,rtc,watchdog,ad转换器,pwm,usart,spi,twi接口等,i/o口功能强、驱动能力强。 2 系统整体设计方案 led显示系统主要由3部分构

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134156.html2011/2/20 23:10:00

oled显示模块与at91rm9200的接口设计

序要求。时序适配电路的设置端为bs1和bs2,其时序设置表1所列。 模块的结构框图图1所示。3 显示模块与at91rm9200的接口设计 ssd1303的接口,包括数据输入缓存器

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lvds高速数据传输技术在全彩led控制系统中的应用

、录像、vcd以及各种三维动画。此外还能完全适应户外各种恶劣性环境(防腐,防水,防潮,防雷,抗震等)。led屏的显示采用1024×768像素,数据量为1024×768×60(

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高亮度高纯度白光led封装技术研究

光led的主要技术性能指标表l所示。 经试验测得当tg=25℃时,电流/温度/光通量关系图l~图3所

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