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晶能光电led项目被评为重大技术发明

晶能光电经过技术攻关,用“”代替传统的“蓝宝石”或“碳化”作制造发光二极管材料及器件,在外延材料方面走出了与日本、美国并行的全球led芯片第三条技术路线。晶能光电成为全

  https://www.alighting.cn/news/2013111/n900947972.htm2013/1/11 9:05:10

分析称国内大功率led芯片良品率不高

全球市场上led芯片基片制造的主流技术是蓝宝石技术和碳化技术,它们分别属于日本日亚公司和美国cree公司。我国芯片制造企业大多使用日本日亚的蓝宝石技术,但需要向日本

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127927.htm2010/7/12 16:21:15

政府大力打造“南昌光谷” “南昌之光”闪耀世界舞台

2016年1月8日,南昌“高光效gan基蓝色发光二极管(简称led)”项目获国家技术发明一等奖;3月18日,市政府常务会审议通过《关于打造南昌光谷、促进led产业发

  https://www.alighting.cn/news/20160421/139618.htm2016/4/21 9:38:01

欧司朗将于今年独立分拆上市

欧司朗公司(osram gmbh)将在今年(2011)进行首次公开发行(ipo),届时将出售略高于50%的股权,不过仍为长期股东,之后欧司朗会寻觅收购与结盟的伙伴。

  https://www.alighting.cn/news/2011331/n478431006.htm2011/3/31 18:54:20

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

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