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延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
射出发光体的能量最多只有百分之三十左右，大部分的能量仍然还是以热能形式残留在led芯片上。led芯片本身的衬底材料、固晶方式也越来越趋于高效导热： (一)碳化硅衬底是目前导热率最
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/22/264686.html2012/2/22 15:55:11
变，其中一个值得注意的例子就是cree，其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led，其中的磊晶或碳化硅(sic)基板已被去除，而led结构已接在另
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/3/22/269114.html2012/3/22 9:54:44
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272395.html2012/4/19 9:12:24
