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aec-q100 group d高规格认证晶圆制程可应用于电力管理装置、音响扩大器、显示器、与led驱动积体电路。该项0.18um技术的基础是经过验证、用以大量制造消费者应用的制
https://www.alighting.cn/news/20110914/115501.htm2011/9/14 10:13:37
牛尾电机正在开展“ux4”曝光装置系列业务。该系列采用通用的模块型平台，配备全域等倍曝光镜头。由此，支持200mm晶圆，实现了高达120张/小时的吞吐量。该公司已投产led量产用
https://www.alighting.cn/news/20110914/115502.htm2011/9/14 10:06:24
据报导，为了让照明用led进一步普及，三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10，达每平方公分1,000日圆的水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05
师。另外，中国在led晶圆等核心环节及上游领域缺乏知识产权，也是一个严重问
https://www.alighting.cn/news/20110914/90537.htm2011/9/14 9:24:45
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
根据国际半导体协会(semi)日前公布的资料，全球晶圆厂2011全年资本支出将达到411亿美元，可说是史上最高纪录，而2012年将是史上次高。
https://www.alighting.cn/news/20110913/100039.htm2011/9/13 12:00:36
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了inGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
