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管型基元led电光源的研究

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42

激光诱导下gaN的p型掺杂研究

到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明,激光诱导掺杂zN后,未掺杂显N型的gaN材料转变为p型,接近样品表面处空穴浓度最大达3×1018cm-3。利用二次离子质谱方法对zN含量进行测

  https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

最新型商业照明灯

国经销商) 请拨服务专线:021-58588673分机825 手 机:13761054031 m s N :gtl081a@yahoo.cN 联 系 人:李小

  http://blog.alighting.cn/gtl081a/archive/2009/11/5/7889.html2009/11/5 13:31:00

作为恒电源驱动led的dc/dc控制器

liNear公司的lt3755和lt3755-1是大电流dc/dc控制器,可作为恒流源用来驱动大电流led.lt3755和lt3755-1通过内部的7v稳压源来驱动低边N沟功

  https://www.alighting.cn/resource/2008728/V555.htm2008/7/28 10:55:23

刻蚀深度对si衬底gaN基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oaN基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同N层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

yzg液压弯轨机

0×555×193 730×450×165 液压油均用N15-N32号机械油 联系人:姜胜

  http://blog.alighting.cn/zhongmei009/archive/2010/4/23/41502.html2010/4/23 16:35:00

baz51系列防爆镇流器(ⅱb、ⅱc、e)

0 -------------------------------------------------------------------------------- ii 216 275 270 240 127 50 g250 N100 N150 l175 l25

  http://blog.alighting.cn/fbdengju/archive/2010/5/30/46692.html2010/5/30 10:08:00

bqd53系列防爆电磁起动器(ⅱb、ⅱc)

2 cbq53-100/□ 100 75-125 40 cbq53-9/□ 9 7-10 4及以下 1 10-14 cbq53-12/□ 12 9-13 5.5 cbq53-18/□

  http://blog.alighting.cn/fbdengju/archive/2010/5/30/46711.html2010/5/30 10:32:00

as the kiNg made

d the littreplica breguetle priNce iNdoor playgrouNdshaNds N Now directed him

  http://blog.alighting.cn/jojo753/archive/2010/5/31/46969.html2010/5/31 11:35:00

改变oled的亲水性/斥水性

金, 铜等)没有损伤,对硅及硅化合物(如sio2 或 si3N4)仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快,能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻,还可以剥离超厚光刻胶层(大于1mm),可进

  http://blog.alighting.cn/isbelle/archive/2010/9/18/97693.html2010/9/18 11:39:00

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