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面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
案。1 硬件设计显示系统由信号处理电路和扫描电路两大块构成,其系统原理框图如图1所示,实际电路框图如图2所示。微处理器mcu采用8 位单片机at89c51,它通过串口接收来自PC机的
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d光源、ac/dc电源转换、led驱动控制、组件散热和光学处理等关键面向。 薄膜芯片封装技术 发展照明应用的重点 led的光源应用，其关键就在芯片技术的核心发展，而影响led组
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
国osram(欧司朗)在薄膜芯片和荧光粉方面具有优势。但是，中国作为世界led第一大制造国，目前却没有一条完整的led照明生产线。贾强遗憾地告诉笔者，“现在，中国企业只是产业链上的一个低
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1 q 1053014628 曹小姐 soncap认证的流程：（1）送样检测（2）PC证书。 即product certification产品认证证书（3）sc证书。
http://blog.alighting.cn/lca_cjh/archive/2011/7/15/229724.html2011/7/15 12:00:00
c, coi, isiri)、尼日利亚（soncap，PC，sc）、肯尼亚（pvco，coc）、沙特 (saso, coc, iccp)、科威特(kucas, ter, tir)、赞比
http://blog.alighting.cn/lca_cjh/archive/2011/7/15/229722.html2011/7/15 11:50:00
产效率高（可以通过注塑完成）；透光率高（3mm厚度时穿透率93%左右）；缺点：耐温70%（热变形温度90度）； 3． PC透镜 a. 光学级尼龙料polycarbonate（简称p
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/15/229702.html2011/7/15 9:15:00
车、电动机车及电动车之动力来源。藉由纳米级电池材料及制程技术的创新开发，所发展之薄膜锂电池，将有机会应用于新世代的产品上面，包括ic卡，mems，锂离子电池，生医元件所需之薄膜锂电
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