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界的热交换。常用的散热基板材料包括硅、金属(如铝，铜)、陶瓷(如al2o3，aln，SiC)和复合材料等。如nichia公司的第三代led采用cuw做衬底，将1mm芯片倒装在cuw衬
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115034.html2010/11/18 16:41:00
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115035.html2010/11/18 16:56:00
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
此次，以备受关注的新一代功率器件SiC产品为首，罗姆重点展示了在中国市场具有良好发展前景的led·智能手机·汽车·新能源等领域的先进产品，充分显现了罗姆的卓越技术。
https://www.alighting.cn/news/20111117/n394435806.htm2011/11/17 13:40:23
1923 年，罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射，研制出了发光二极管 (led ： light emitting diod
https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC，si)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21193.htm2009/10/14 20:44:55
led芯片大厂美国cree公司在14-15日在日经电子和日经微器件共同举办的led技术研讨会2007上，介绍了在SiC底板上形成的蓝色led的开发状况，并展示了开发中的蓝色le
https://www.alighting.cn/news/20070620/105925.htm2007/6/20 0:00:00
美国cree公司在2007年6月14～15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“led技术研讨会2007”上，介绍了SiC底板上形成的蓝色led的开发状况。
https://www.alighting.cn/news/20070620/121161.htm2007/6/20 0:00:00
1907 年henry joseph round 第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象，由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用，更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研究被摒
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165437.html2011/4/14 22:03:00
