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江西将大规模生产LED芯片

本报讯 近日获悉,江西将大规模生产本土的LED芯片,该项目将有望实现年产LED外延片30万平方英寸、LED芯片100亿粒的生产规模。

  https://www.alighting.cn/news/20051018/101001.htm2005/10/18 0:00:00

韩国lg与三星竞争LED市场

韩国lg集团正积极寻找台湾合作伙伴,以确保LED材料源和外包产能。据悉,lg旗下已有lgit作为集团LED的主要供应者,而在台湾的LED项目阵营有灿圆光电。

  https://www.alighting.cn/news/20100813/104595.htm2010/8/13 0:00:00

江门市利用车顶LED广告平台开展创文宣传

从4月中旬开始,江门市创文办、公安交管局、交通运输局等部门借助市全城广告有限公司,在市区出租车顶安装LED广告平台,开展创文及交通安全等公益宣传,打造出租车的城市名片形象。目前

  https://www.alighting.cn/news/20110510/100502.htm2011/5/10 14:07:58

LED专利最新态势解读

半导体照明技术与应用市场的发展有着极其紧密地联系,技术的发展程度制约着应用市场的拓展,同样应用市场的变化也影响着技术的发展和转移方式,LED专利授权及纠纷等专利事件的变化就明确反

  https://www.alighting.cn/news/20060524/91987.htm2006/5/24 0:00:00

芯片大和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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