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谱。激发光谱与发射光谱有相似的变化趋势：随着钙含量的增加，激发峰朝长波方向移动，且峰值明显增强。这些改变扩大了该荧光粉的应用范围。根据不同的芯片和应用的需要，可以选择不同的激发和发射
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光lED问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
业目标是达到年产３００亿只的生产水平，实现超高亮度ａｉｇｓｌｎｐ的ｌｅｄ外延片和芯片的大批量生产，年产１０亿只以上红、橙、黄超高亮度ｌｅｄ管芯，突破ｇａｎ材料的关键技术，实现蓝、绿、
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
号，所以消除了电磁干扰 (emi) 的影响。tps7510x 采用超小型 9 焊球 0.4mm 焊球间距芯片级封装 (wcsp) 与 3mm × 3mm qfn 两种封装版本，这种非
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00
n芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
出，满足不同场合的要求。系统结构如图1所示。主要可分为以下部分：带隙基准电路，软启动电路，振荡器，1.5倍压电荷泵，数字调光模块。当en／set端输入高电平时，芯片启动，vin经过
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
lED产品的光衰就是光在传输中的讯号减弱，而现阶段全球lED大厂们做出的lED产品光衰程度都不同，大功率lED同样存在光衰，这和温度有直接的关係，主要是由芯片、萤光粉和封装技术决
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120541.html2010/12/13 23:01:00
led照明灯具在近期得到飞跃的发展，led作为绿色环保的清洁光源得到广泛的认可。led光源使用寿命长、节能省电、应用简单方便、使用成本低，因而在家庭照明都将得到海量的应用，欧司朗光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120530.html2010/12/13 22:58:00
随着技术的发展，lED的效率有了非常大的进步。在不久的未来lED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造lED芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（gan）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底lED芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
