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缓冲层生长压力对mocvd gan性能的影响

描电子显微镜(sem)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,gan缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长gan岛间合并延迟.x射线衍射(xrd)和光致发光(pl)测

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

低温cvd法在玻璃衬底上制备zno纳米线阵列

征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450~500℃,氩气流量为35sccm时,zno纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;xrd图中只观测到zno(002)衍射峰。表明制备的纳

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

极性电气石衬底对zno纳米片生长的影响

,研究了电气石衬底的化学组成和fe离子的精细结构,zno的片状生长与极性电气石的表面电场作用相关,随着电气石中fe离子含量、价态和占位的变化,晶体沿c轴的固有电偶极矩越高,表

  https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19

mocvd法生长ga、p掺杂的zno薄膜

采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p

  https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29

led背光源用于场序彩色lcd的研究

下形成的彩色对人眼的视觉影响;研究在不同场频和不同占空比情况下,led的发光特性曲线,确定白平衡情况下led三基色的等量关系;研究led三基色形成的白光光与三基色各光之间的关

  https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:13:43

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

膜。xrd测量结果表明利用该方法制备的gan薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光仪测量了薄膜的红外吸收,利用sem和tem观测了薄膜形貌,p

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

pld方法制备的zno纳米柱结构及光学特性

采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)等表征手段对zno纳

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

gasb衬底上外延inas_xsb_(1-x)材料的lp-mocvd研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能仪等对材

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39

gan薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

d)分析及选区衍射分析(saed)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构gan薄膜;xps分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且ga:n约为1:1;pl分析结果表

  https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10

gan led外延片微结构分析及性能研究

致发光分析, 5.制作出了gan基led发光二极

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

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