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[光源设计]白光led的开发设计

1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。

  https://www.alighting.cn/news/2010119/V22621.htm2010/1/19 9:09:36

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/news/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

南韩白光led 照明产业巡礼

随着白光led 照明应用市场的兴起,多家厂商从2000年开始投入GaN led 磊芯片产业,至目前为止已达10 家厂商之多。

  https://www.alighting.cn/news/20071015/92291.htm2007/10/15 0:00:00

【led照明第二幕】(二)绿色led取得突破,利用si板大幅削减成本

GaN on si并不是新技术。该技术虽然备受期待,但直到最近才开始推进实用化,这是因为一直未能解决技术课题……

  https://www.alighting.cn/news/20140630/97440.htm2014/6/30 14:09:34

晶电再次订购aixtron ag 多台mocvd

近日,mocvd设备大厂aixtron ag又宣佈佈获台湾led上游大厂晶元光电(epistar)多台mocvd订单,用于量产GaN led。

  https://www.alighting.cn/news/20071026/106944.htm2007/10/26 0:00:00

攀时日本展出可替换led蓝宝石板的钼(mo)板及钼铜(mocu)

业内人士介绍:替换板的led芯片制造工艺是,先在蓝宝石板上使GaN系半导体结晶外延生长,然后将mo板或mocu板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石板,切割成le

  https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34

led芯片倒装工艺原理以及发展趋势(下)

正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和硅胶接触,而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。GaN的折射率约为2.4,蓝宝石折射率为1.8,荧光粉折射率为1.

  https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48

日立电线新品氮化镓模板可增强led特性

日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石板上生长的高质量氮化镓(GaN)单晶薄膜的GaN模板全新量产技术,并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层板,可以大幅提

  https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50

华灿光电成功研制新型蓝绿光led芯片

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术,通过优化结构设计,优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺,开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外

  https://www.alighting.cn/news/2007522/V8003.htm2007/5/22 13:56:23

中村修二上海报告近期led研究工作及成果

中村修二教授的报告题目名为“recent advances in nonpolar and semipolar GaN for blue and green lase

  https://www.alighting.cn/news/20121226/n474247336.htm2012/12/26 9:46:47

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