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6月9日消息，激光划片机系统供应商表示，为了增加衬底尺寸，采用diamond-tipped五金|工具太昂贵了。led芯片制造商想把尺寸从2英寸扩大到4英寸的话，钻石设备不是最好的选
https://www.alighting.cn/news/20090610/120314.htm2009/6/10 0:00:00
汉的新厂房里，用于生产高亮（hb）GaN le
https://www.alighting.cn/news/2007726/V2541.htm2007/7/26 14:22:10
5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫光inGaN le
https://www.alighting.cn/news/2007511/V2418.htm2007/5/11 11:09:40
2007年5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫
https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00
美国加州大学圣芭芭拉分校（ucsb）利用氨热法试制出了GaN结晶，并在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举行的“icns”上进行了发布（演讲序号:mp112）。氨热法应
https://www.alighting.cn/resource/20071002/128536.htm2007/10/2 0:00:00
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/news/20100820/103438.htm2010/8/20 14:00:24
汉的新厂房里，用于生产高亮(hb)GaN le
https://www.alighting.cn/news/20070718/116622.htm2007/7/18 0:00:00
本周，电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm)，会上，来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管，其崩溃电压超
https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00
署了一份文件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体
https://www.alighting.cn/news/20081216/121241.htm2008/12/16 0:00:00
由于南韩、日本、中国大陆与台湾许多led厂正大幅扩充led产能，预期对上游材料需求增加幅度高，届时供应可能会吃紧。国际上已经有多家原料供应厂商也积极拓展产能。
https://www.alighting.cn/news/20100506/106431.htm2010/5/6 0:00:00
