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本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从GaN基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
即两端加上正向电压），电流从led阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。最初led用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的led在交通信号
http://blog.alighting.cn/zsoygs/archive/2011/8/30/234250.html2011/8/30 9:28:00
本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光led,并对白光led用新型yag单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光led用ce∶yag及pr,ce∶yag晶
https://www.alighting.cn/resource/20110823/127263.htm2011/8/23 13:33:10
rubicon公司解释：“与其他衬底材料的生产相比，蓝宝石晶体生长是极其复杂的，稳定的功率、生长形貌、冷却以及反馈控制机制，都必须被优化管理，以保障高质量蓝宝石晶体材料产量的最大
https://www.alighting.cn/news/20110822/115117.htm2011/8/22 9:17:17
动mosfet。从性价比的角度来说，推荐使用需要浮动栅极驱动的n通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/8/20/233233.html2011/8/20 9:22:00
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233212.html2011/8/20 0:34:00
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233208.html2011/8/20 0:33:00
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00
