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至两年时间。此外，led业者要求更大的蓝宝石基板晶圆，也增加生产的困难。由于led货源短缺，一些企业正在考虑降低其以led作为背光材料的电子产品的出货量。蓝宝石基板业者rubico
http://blog.alighting.cn/pentiumD/archive/2011/9/6/235667.html2011/9/6 19:58:40
GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02
根据imsresearch预测，在ipad、iphone热卖下，到2015年全球的led市场可望达到180亿美元。semiopto/led晶圆厂预测报告指出，led晶圆厂的产能
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/1/234472.html2011/9/1 9:34:55
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀60 mi
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
