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中国led通用照明产业的现状及展望[研究报告]

本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上,中国led 照明产业产品线布局完善,在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si

  https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

【led术语】基片(substrate)

则使用蓝宝石、SiC和si等作为基

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

pyro 400在线测量gan温度

laytec于11月前推出最新的产品pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或SiC晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,pyro 400是一种真正能精确测量gan

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230115.html2011/7/18 23:52:00

十年磨一剑 中国led硅衬底技术取得突破性进展

在led行业中,我国自主创新的硅衬底led技术被誉为继碳化硅(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线,其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒,拥

  https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20

led晶粒/芯片制造流程

近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓(gan)基的晶圆(外延片),晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之

  https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09

led在商业照明应用中的两种新概念

从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发,半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中,碳化矽(SiC)与氮化镓(gan)“阵营之争”。led经

  https://www.alighting.cn/news/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49

led衬底三分天下,谁将独领风骚?

今年,随着硅衬底技术的不断发展,SiC、蓝宝石、硅这三种不同的led芯片衬底技术路线早已摆开阵势,以高技术含量与低成本为噱头,展开激烈交锋。在这场技术大战中,谁会成为赢家,最终主

  https://www.alighting.cn/news/20120521/89252.htm2012/5/21 13:36:20

美国研究小组得能源部资助弥合led“绿光缺口”

2006年8月22日,虽然基于 gan 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、SiC 和gaas衬底)已取得重大进步,但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代,导致了照明

  https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00

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