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gan外延片的主要生长方法

子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocvd生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的基本原理是,在一块加热

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

led芯片的制造工艺简介

后,100%的目检(vi/vc),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑癣测试和分类。4、 最后

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

el显示(薄膜型电致发光显示)技术

当的条件下,el显示器能够耐受极高的振动负载,能够抵抗苛刻应用环境下的剧烈震动。典型规格是它能耐受超过100 gs的振动。显示屏和控制电路具有密封的固态特征,这使得它具有极高的可靠

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外延生长技术概述

度led外延材料的重要前提。algainp超高亮度led采用了mocvd的外延生长技术和多量子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocv

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led技术在机械视觉中的应用

域提供照明的最常用方法就是使用卤素光源与光纤照明相结合。而这种方案最大的不便就是每1500小时就需要更换灯泡,而且灯光亮度退化得很快。与此相对的是,典型红光led的使用寿命是10

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229958.html2011/7/17 23:35:00

led技术在机械视觉中的应用

域提供照明的最常用方法就是使用卤素光源与光纤照明相结合。而这种方案最大的不便就是每1500小时就需要更换灯泡,而且灯光亮度退化得很快。与此相对的是,典型红光led的使用寿命是10

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229959.html2011/7/17 23:35:00

led封装对光通量的强化原理

s law)一样,每24个月提升一倍,过去认为白光led只能用来取代过于耗电的白炽灯、卤素灯,即发光效率在1030lm/w内的层次,然而在白光led突破60lm/w甚至达10

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

led作背光源的技术现状

立的小区块中,将画面调亮或是调暗,使得画面对比更加明显。许多电视业者号称其动态对比可高达100万比1,甚至更高。此外,也有厂商改采红绿荧光粉(rg phosphor)加上蓝光le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229965.html2011/7/17 23:39:00

太阳能led路灯的工作原理

.6 (ah),选用2台12v100ah的蓄电池就可以满足要求了。2.3 太阳能电池组件支架2.3.1 倾角设计为了让太阳能电池组件在一年中接收到的太阳辐射能尽可能的多,我们要为太

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229966.html2011/7/17 23:39:00

led背光源制作工艺简介

晶显示设备显示色彩数量不足的缺陷,使之能达到甚至超过adobe rgb和ntsc色彩标准要求,可以达到ntsc ratio 100%以上,其中索尼推出采用led背光的液晶电视面板,特

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