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http://blog.alighting.cn/lampearl/archive/2011/6/21/222340.html2011/6/21 10:24:00
能起到保护内部芯线的作用，所以led的抗震性能好。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00
技产业。 1995年以来，led显示屏的发展进入一个总体稳步提高产业格局调整完善的时期。同时，led显示屏产业内部竞争加剧，形成了许多中小企业，产品价格大幅回落，应用领域更为广
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229838.html2011/7/17 22:31:00
高会使晶体管的电流放大倍数迅速增加,导致集电极电流增加,又使结温进一步升高,最终导致组件失效。 热设计的目的 控制产品内部所有电子元器件的温度,使其在所处的工作环境条件下不超过标
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229846.html2011/7/17 22:35:00
成的影响；最后，因为高压发光二极体较ac led少了内部桥整的发光区，使发光效率相对较高，耐用度也较佳。 作为大尺寸、高功率led的解决方案 高压发光二极体的效率优于一般传统低压发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
用描述了该渐进技术相关的电路。 参考电流 输出电流是通过设定流入外部电阻器的参考电流来设定的。如图1所示,内部子电路提供外部电阻600 mv的偏置电压。iref引脚上的电压通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229864.html2011/7/17 22:46:00
泛应用于开关电源、led驱动和电子镇流器的预调整变换器控制。该芯片内部包括1个启动定时器可满足待机应用要求,1个能实现接近于1的功率因数的单象限乘法器和1个零电流检测模块确保临界断
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229872.html2011/7/17 22:50:00
荐使用需要浮动栅极驱动的n通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显示了备选的降压稳压器(buck#2)。在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229885.html2011/7/17 22:55:00
热爆炸。vds1触发二极管的转折电压为30v～40v,正常状况下c3两端电压不超过10v,vds1一直截止,vs1也截止。只有在负载电路断掉或led内部开路情况下,c3两端电压刚
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229886.html2011/7/17 22:56:00
后,再加上增加晶片面积就绝对可以一口气提?n亮度,因为当光从晶片内部向外散射时,晶片中这些改善的部分无法进行反射,所以在取光上会受到一点限制,根据计算,最佳发挥光效率的led晶片尺
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
