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2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271778.html2012/4/10 23:33:04

光纤led驱动电路的设计

与选定的光纤,选择820nm波长可使hcs光纤损耗低至6dB/km,同时色散也达到最校?光源的选择:在820m波长下,led是可以选用的最佳光源,与半导体激光器相比,led的驱动电

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271777.html2012/4/10 23:33:00

大电流led调光方法的对比分析

动(power-train)特性和pwm调光方案之间的关系。下文将讨论几种不同的pwm调光方案。pwm调光方案可以采用多个不同的电路来实现正向led电流的开/关切换,图1(B)是最常用的pwm调光配

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271776.html2012/4/10 23:32:56

大电流led调光方法的对比分析

冲之间的延迟,tsu为led电流从零升至所需电流的上升时间,tsd为从dim脉冲的下降沿到led电流等于零之间的下降时间。图1(a):最大和最小的pwm调光占空比;图1(B):最常

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271775.html2012/4/10 23:32:54

大电流led调光方法的对比分析

个脉冲之间的延迟,tsu为led电流从零升至所需电流的上升时间,tsd为从dim脉冲的下降沿到led电流等于零之间的下降时间。图1(a):最大和最小的pwm调光占空比;图1(

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271774.html2012/4/10 23:32:51

led芯片寿命试验

况,我们规定了加严寿命试验的办法,即每区4~6粒芯片,共16~20粒芯片,按正常条件进行寿命试验,只是数量加严,而不是试验条件加严;第三,一般地说,抽样数量越多,风险性越小,寿命试

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271773.html2012/4/10 23:32:48

浅谈led產生有色光的方法

分比。一般通过 pn结压降可以确定led的波长顏色。其中典型的有gaas0.6p0.4 的红光led,gaas0.35p0.65的橙光led,gaas0.14p0.86的黄光 le

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26

串行flash存储器在小型led显示系统中的应用

c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a,B,c,d构成整个led单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271766.html2012/4/10 23:32:13

oled 进入手机主显示应用

6 (如图2所示)。 为实现这方案,驱动ic需要有以下一些功能(a)与lcd驱动不同,需采用电流驱动技术;(B)因为全彩色应用的高数据传输率和高耗电,数据内存和控制功能、灰度表、省电模

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工业级高信赖性led路灯系统评量指针

至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果,与一般宣传led可工作于100℃寿命可

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