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析，随着这两年led上游外延芯片成本的大幅度下降，上游外延芯片、中游封装、下游应用已经形成了1：4：9的市场规模比例。以上游外延芯片50%，中游封装30%，下游应用20%的自身利润
http://blog.alighting.cn/zhougaoyu/archive/2011/2/22/134799.html2011/2/22 14:24:00
楼会议室。7、谈判申请文件的递交截止时间：2011年2月25日下午14:00（北京时间）。8、谈判开始时间：同谈判申请文件的递交截止时间。9、谈判地点：云南招标股份有限公司（昆明
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/2/21/134361.html2011/2/21 13:18:00
额1453.7亿美元，年增36.9%。其中，大陆对台湾出口296.8亿美元，年增44.8%；自台湾进口1156.9亿美元，年增20.2%；实际使用台资24.8亿美元，年增31.7%。
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/2/21/134346.html2011/2/21 11:54:00
片情况来看，每个白光led的电压降在4v时，最多可以达到36v，也就是说最多能够同时驱动9个白光led，而事实上单个白光led的电压降不到4v，所以可能驱动更多一些；而rgb le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134182.html2011/2/20 23:24:00
作寄存器，允许数据从输入到输出直接通过，可用于设备串接。地址×1h～×8h为显示ram区，分别对应dig0～dig7引脚的8 位led显示数据。地址×9h为译码模式寄存器，其8
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134180.html2011/2/20 23:23:00
/74as374能够处理每位24 ma的输出阱电流，而74as374能够处理每位48 ma，使其适用于高亮度显示器。 采用这种解决方案，不仅可以产生0至9的数字，还具有零抑
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134174.html2011/2/20 23:19:00
3 v或者5 v电压，但系统往往还需要9 v、12 v、15 v甚至更高的电压。而市场上输入电压为3.3 v或5 v且功率大于2 w的ic又比较少见。为此，本文介绍的lm2731芯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134173.html2011/2/20 23:18:00
与pda中广泛使用的led以及电池的电气特性。 依不同制造商所采用技术的差异，led的正向电压(vf)大约在2.7~4v之间，通常高功率led拥有高达4.9v的较高正向电压，因
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134165.html2011/2/20 23:14:00
6 个循环的 ingan(3 nm) /gan(9 nm) 多量子井和一个在 950 ℃ 生长的 p-gan 层。经过粗化处理的表面与未处理之前的扫描电镜照片如图 2 所
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
构的 led 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ，大约是传统 led 的 1/6 左右，封装后的 led 施加 2w 的电力时， led 芯片的接合温度比焊接点高 18k ，即
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00
