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美国参议院能源委员会通过了“千万太阳能屋顶提案”,该提案计划每年投专项资金(2012投入2.5亿美元，2013-2020每年投入不少于2.5亿美元)用于补贴在建筑上安装太阳能系统，
https://www.alighting.cn/news/2010927/V25348.htm2010/9/27 10:53:56
对于全彩led显示屏，led灯珠作为其最关键的部件，led灯珠的品质对led显示屏的品质起着很重要的决定作用。
https://www.alighting.cn/resource/20130909/125343.htm2013/9/9 14:05:22
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zno薄
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研究了
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50scc
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
选取有着较高经济价值的纤细角毛藻以及亚心形扁藻为实验对象,在光照恒温培养箱中用红、绿、蓝、白led集成不同光谱成分的光源与传统荧光灯进行对照培养实验。通过对比生长速率表明,与荧光灯
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127113.htm2011/9/20 13:19:21
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈现
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
