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坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114806.html2010/11/17 22:42:00
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115017.html2010/11/18 16:05:00
坑(lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整等等 2）扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。 我们采用扩
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120405.html2010/12/13 14:40:00
火、刻蚀）划片芯片分检、分
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
层的欧姆接触电极→合金→钝化→划片→测试→包装。 1.2 主要制造工艺 采用thomas swan ccs低压mocvd系统在50 mm si（111）衬底上生长gan
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
整。 b）扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是led芯片的间距拉伸到约0.6mm
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
→钝化→划片→测试→包装。 1.2主要制造工艺 采用thomasswanccs低压mocvd系统在50mmsi(111)衬底上生长gan基mqw结构。使用三甲基镓(tmg
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
整 2.扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是led芯片的间距拉伸到约0.6m
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
面：发光面积增大,电极挡光小,便于制备微结构,并且减少刻蚀、磨片、划片。更重要的是蓝宝石衬底可以重复运
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
1.芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于led芯片在划片
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179904.html2011/5/20 0:44:00
