站内搜索
整。 b）扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是led芯片的间距拉伸到约0.6mm
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
→钝化→划片→测试→包装。 1.2主要制造工艺 采用thomasswanccs低压mocvd系统在50mmsi(111)衬底上生长gan基mqw结构。使用三甲基镓(tmg
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
整 2.扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是led芯片的间距拉伸到约0.6m
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
面：发光面积增大,电极挡光小,便于制备微结构,并且减少刻蚀、磨片、划片。更重要的是蓝宝石衬底可以重复运
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
1.芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于led芯片在划片
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179904.html2011/5/20 0:44:00
a)芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 b)扩片 由于led芯片在划片后依
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222023.html2011/6/19 22:43:00
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222068.html2011/6/19 23:05:00
光、x射线)晶圆片晶圆设计、加工掩模版光刻离子刻蚀n型电极(镀膜、退火、刻蚀)p型电极(镀膜、退火、刻蚀)划片晶粒分检、分
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
.扩片由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是led芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整2.扩片由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是led芯片的间
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/8/2/231475.html2011/8/2 10:39:00
