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离→研磨→切割→芯片→成品测试。 其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对led 外延片做电极（p 极，n 极），接着就开始用激光机切割led 外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底，目前高质量的gan膜通常都生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
整。 b）扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是led芯片的间距拉伸到约0.6mm
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
高你的竞争优势。 我们有150年的为客户提供无与伦比的价值的历史。我们的特点是，可靠性、精度、速度、质量和涵盖整个加工技术领域的服务：铣削、放电加工、激光技术、刀具制造和自动
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126989.html2011/1/12 0:32:00
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26
c)）贴合，其特征在于，将倒装焊芯片(ingan与alingap结构)的衬底表面做成光子晶体结构。本实验采用特殊激光点曝光制程和干法刻蚀使芯片出光表面形成二维光子晶体结构，如图三所示，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
致在gan内部产生更大的缺陷，加大的缺陷会形成微小的热点而造成光度衰减的恶性循环。led的电光效应因接口的疲劳会在数千小时后迅速降低。 激光剥离前，芯片的正极需镀上一层反射金属（如
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
中分得一小杯羹。 纵观如今的高科技产业，特别是半导体相关的高科技产业，如集成电路、通信、激光等，处于上游的芯片往往是整个产业的关键。led照明芯片的性能很大程度上决定了整个产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年，最小也有5年，普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大，一般在15年到2
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
极管（organic light-emitting diode），又称为有机电激光显示（organic electroluminesence display, oeld）。ole
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/4/125713.html2011/1/4 14:45:00
