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sizno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

si衬底ganled外延薄膜转移至金属板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

氮化物led光效下降 非直接俄歇效应是主因

led光衰(led droop)是由俄歇复合(auger recombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的,三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包

  https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25

晶能硅谷展示全球唯一量产硅大功率led芯片

2012年7月10至12日半导体产业最大的展览会—美西半导体设备暨材料展(semicon west)在美国硅谷举行。晶能光电有限公司首席技术官(cto)赵汉民博士应邀出席“新一代高

  https://www.alighting.cn/news/2012719/n192741430.htm2012/7/19 11:40:22

gan 功率型led芯片散热性能测试与分析

与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36

蓝宝石led外延片背减薄与抛光工艺研究

目前在蓝光led的制备中,通常采用异质外延的方法生长氮化镓材料。在商品化的led中,绝大部分采用蓝宝石作为外延生长的衬底材料。

  https://www.alighting.cn/news/20091023/V21323.htm2009/10/23 17:36:07

氮化镓半导体照明led及其应用产业化

文章分析了照明用半导体led的外延、芯片及封装等相关技术,介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索,提出了一些具体的解决方案,并对led的产业化生产进行了讨论。

  https://www.alighting.cn/news/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29

led防爆灯成新利 2020年产值估达15.5亿元

台湾光电协进会(pida)表示,led防爆灯具产值至2020年可达2.48亿美元(折合人民币约15.5亿元)规模。

  https://www.alighting.cn/news/20150217/82847.htm2015/2/17 11:41:52

led产业q2旺季来临 台厂抢攻利产品区块

led产业迎来第二季旺季,led业者皆感受到照明产品订单明显的放量,不过,供需失衡导致的价格迅速滑落仍掐住led厂的获利颈部,台湾上市公司led厂晶电、隆达、新世纪、光鋐今年除了抓

  https://www.alighting.cn/news/20130416/89629.htm2013/4/16 10:21:11

led让随身物「发光」,再拓市场利

台湾工研院南分院奈米粉体与薄膜科技中心研发的「自扩散型光导板」,可让led相关的外围产品只要灌铸奈米微粒,进行光线调控,就能使led可在个人随身物品上「发光」。

  https://www.alighting.cn/news/20090119/105607.htm2009/1/19 0:00:00

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