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delta掺杂技术,提高氮化物led的抗静电能力

中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层,显著提高了氮化物led的抗静电能力,这个改善是因为外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩

  https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46

soraa新建氮化镓板led制造工厂 2016年下半年投产

据报道,美国公司soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓板(GaN on GaN)led制造工厂。据悉,新工厂将雇

  https://www.alighting.cn/news/20151102/133806.htm2015/11/2 10:00:54

led生产中的六种技术

m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。  四、倒装芯片技术  通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaNled结构层,由p/

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00

led生产中的六种技术

m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。  四、倒装芯片技术  通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaNled结构层,由p/

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

新纳晶王怀兵申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

导体材料氮化镓(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05

个人简介及近年主要工作成果

部(项目投资额1.5亿元),开发和生产第三代半导体材料氮化镓(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列

  http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51

荧光粉在高显色性白光led中的研究

有研稀土 夏天 摘要:本文研究了由GaN蓝光芯片和不同颜色荧光粉组成的三个白光led系统,提出了改善白光led显色性的解决方案。研究结果表明,在蓝光led芯片与黄粉系统中,在一

  http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317940.html2013/5/25 12:29:01

什么是ti?

thd就是用电器源电流谐波含量占波电流含量百分比的英文缩写表示。一般指的是以2次~39次谐波总量与波电流的百分比

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V8795.htm2007/2/8 13:18:33

什么是ti?

thd就是用电器源电流谐波含量占波电流含量百分比的英文缩写表示。一般指的是以2次~39次谐波总量与波电流的百分比

  https://www.alighting.cn/news/200728/V8795.htm2007/2/8 13:18:33

植物光生理与led在植物照明优势

本文由植物光生理的角度切入,针对人工光源部分,探讨led在植照应用的利

  https://www.alighting.cn/news/20170828/152449.htm2017/8/28 17:40:17

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