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led芯片的技术发展状况

向出光利用率。  1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标,tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

如何解决测试挑战以克服led照明应用瓶颈?泰克专家亚太led技术峰会上支招

是测试测量的考量要点。这些指标考验着开关电源的效率。晶体管开关电路在转换过程中消耗的能量最大,常用的测量包括闭点损耗、开点损耗、功率损耗、动态开点电阻、安全工作区(瞬时功率)。  再

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233153.html2011/8/20 0:17:00

led技术在照明领域的应用前景

车后部的高位刹车灯,90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。  1995年,日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后,世界上结束了没有原色蓝光的历史,在全球掀起了ga

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233154.html2011/8/20 0:17:00

led概述

之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。  一般来说,GaN的成长须

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00

led基础知识之eos与esd的区别

属线熔化、发热、高功率、闩锁效应其可见性不强损坏位置不易发现,短的eos脉冲损坏看起来像esd损坏通常导致晶体管级别的损坏。四、静电防护1.设定静电区域说明:在生产现场设定静电敏

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233077.html2011/8/19 23:53:00

led知识概述

6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233064.html2011/8/19 23:50:00

led芯片降价空间大 可通过三种途径

电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00

光纤led驱动电路的设计

d,hfbr-24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233021.html2011/8/19 23:22:00

[原创]还以为晚餐大吃大喝无害健康?错!晚餐学问大扫描,让你远离高危疾病

睡了,尿液不能及时排出体外,致使尿中钙不断增加,容易沉积下来形成小晶体,久而久之就会逐渐扩大形成结石。所以,傍晚6点左右进晚餐较合适。     海报编编推荐的晚餐食物:     如

  http://blog.alighting.cn/zypdToday/archive/2011/8/19/232839.html2011/8/19 9:27:00

光纤led驱动电路的设计

d,hfbr-24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232823.html2011/8/19 0:51:00

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