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http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246812.html2011/10/20 17:21:55
塔，最上层为92.4米见方的正方体。从上往下依次递减，首层边长仅为42米X42 米。四个8.4米见方的核心筒相互对称分布，对建筑进行支撑加固，以抵抗风荷载以及地震荷载。核心筒位
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246727.html2011/10/20 17:15:38
坐落于泰国湾海滨，X2度假村豪华，踏实，高档。该度假村是为了协调渔村及其周围地区原状绿化和安宁的，使客人欣赏风景和品尝美食的同时，享受奢侈的度假生活。为此，X2布局宽敞，方便客
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246531.html2011/10/20 15:55:56
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出p型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、X射线衍射(Xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
射模型拟合椭偏参数,计算了不同温度下制备的zno薄膜在400~800nm波长范围内的折射率(n)和消光系数(k),发现基片温度对薄膜光学特性有很大的影响。结合X射线衍射(Xrd)的结
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、X射线衍射(Xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
日前，恩智浦半导体(nXp semiconductors n.v.)推出基于greenchip?技术的紧凑非调光led灯解决方案——高效高压led驱动器集成电路ssl2108X，
https://www.alighting.cn/pingce/20111018/122719.htm2011/10/18 10:29:53
用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(Xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
法制备了未掺杂zno薄膜。通过X射线衍射、拉曼光谱、光致发光光谱和吸收光谱对其结构和光学性质进行了表
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
