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LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

LED芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

科锐全新 mx-3 LED灯量产

日前,LED 照明领域的市场领先者科锐公司(纳斯达克:cree)宣布光通量大于100流明的全新xlamp? mx-3 LED已实现量产。

  https://www.alighting.cn/news/2010825/V24921.htm2010/8/25 15:48:15

美国ul 先一步进行LED灯具新标准解读

为了保证新的LED照明产品能够像普通照明灯具一样为大众所接受和信赖,ul已开始着手编制LED的安全性评定标准。

  https://www.alighting.cn/resource/20100517/129031.htm2010/5/17 0:00:00

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