站内搜索
l 200 m。采用带屏蔽层的同轴电缆可以降低传输过程中产生的信号干扰。 在需要从pc上位机下载数据到flash rom时,通过max232芯片实现atmega32和pc机的通信。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134156.html2011/2/20 23:10:00
是,由于fb的电压为50ma,所以即使通过满载200ma电流,rsense消耗的功率为: rsense=50mv×200ma=0.01w 由此可见,仅用0603封装的smd电阻就
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134157.html2011/2/20 23:10:00
动器、ccfl背光电源转换器、照相闪光灯充电器典型产品的技术特征与应用作分析介绍。 1、1×/5×7通道电荷泵白光led驱动完全背光解决方案 aps4070是一款应用
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134155.html2011/2/20 23:09:00
电时,饱和电流为 200ma 的感应器就足够了。如果没有特定的内部环路设计,感应器饱和电流必须额定为 400ma,这就要求更大的感应器,感应器内核也较大。 组件高度——充电泵与升
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134152.html2011/2/20 23:08:00
r 顺序增加。 sr2m2si5n8 :eu 的 h q 达到 75-80%,且温度猝灭特性良好,在 150℃ 仅有百分之几。m2si5n8 :eu 的物理化学性能和发光性能都优
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00
构的 led 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ,大约是传统 led 的 1/6 左右,封装后的 led 施加 2w 的电力时, led 芯片的接合温度比焊接点高 18k ,即
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00
外还有低输出电阻(小于1ω)和低led引脚电压降(大约150mv)特性。图2显示了本例中向电压为3.5v的1.33x模式的转换,转换后的电压比3.3v的vf高200mv。 le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134149.html2011/2/20 23:07:00
压 * 262khz开关频率 * 逐周期限流 * 通/断控制输入 * 允许使用低频pwm信号调节亮度 * 可以调整电路以适应多种形式的串联、并联led配置 典型应
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
之研发则成为 厂商们之重点开发项目。现时制造白光led方法主要有四种: 一、蓝led+发黄光的萤光粉(如:yag) 二、红led+绿led+蓝led 三、紫外线led+发红
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
计其它的输出电流和控制电压: 其中:vrff = 1.22v、rsense是r2、r3与r4的并联电阻值(= 5ω)。 在许多情况下,利用低频(50hz至200h
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134143.html2011/2/20 23:05:00