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inn材料的电学特性

示、高效太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

半导体照明灯具系统设计概述

1)灯具系统的热量管理一般常称led为冷光源,这是因为led发光原理是电子经过复合直接发出光子,而不需要热的过程。但由于焦耳热的存在,led在发光的同时也有热量伴随,而且对于大功

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00

分析el背光驱动工作原理

加。el场致发光灯的应用场合在绝大多数情况下是直流低压系统,比如电池 供电。但el场致发光灯必须用高压来驱动,通常要求驱动电路应高效地把直流电压转换为频为200hz到1khz、

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00

led背光与无彩色滤光片技术

靠背光模块中,三种原色光源依时序切换,搭配在各色光源显示时间内,同步控制液晶像素穿透,以调配各原色之相对光量,再由视觉系统对光刺激的残留效应,以形成并察知该颜色。也就是将原本以空间

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

发光二极管封装结构及技术

种作用:保护管芯等不受外界侵蚀;采用不同 的形状和材料性质(掺或不掺散色剂),起透镜或漫射透镜功能,控制光的发散角;管芯折射与空气折射相关太大,致使管芯内部的全反射临界角很小,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

el显示(薄膜型电致发光显示)技术

后,仍能继续正常使用。得益于el显示器的固态结构特征,其工作温度可以达到惊人的-50摄氏度到+85摄氏度。不同于其他类型的显示技术,无需预热也无需昂贵的大功加热器,el显示器在

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led背光与无彩色滤光片技术

靠背光模块中,三种原色光源依时序切换,搭配在各色光源显示时间内,同步控制液晶像素穿透,以调配各原色之相对光量,再由视觉系统对光刺激的残留效应,以形成并察知该颜色。也就是将原本以空间

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

2se、sih4。(5)、目前原料的利用较低,毒性较大,因此增加了外延层的制造成本。[国外概况]mocvd是由美国洛克威尔公司的h.m. manasevit等在1968年首先提

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

氮化镓衬底及其生产技术

晶,向4-6英?挤较蚍⒄梗?以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。3)sic衬底除了al2o3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是sic,它在市场上的占有位居第二,目前还未有第三种衬

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

led外延片(衬底材料)介绍

积既可(同时)一次加工多片,也可加工单片。单片反应器可生产出质量最好的外延层(厚度、电阻均匀性好、缺陷少);这种外延片用于150mm“前沿”产品和所有重要200 mm产品的生

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