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功率led封装的可靠性研究

本文从封装材料对高功率 led 器件结构的热应力分布影响出发,对高功率led封装的某些可靠性问题进行了分析和讨论。并且通过实验和有限元分析,模拟了不同的荧光粉封装工艺的温度分布情

  https://www.alighting.cn/resource/20130327/125808.htm2013/3/27 13:51:05

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279497.html2012/6/20 23:06:36

功率电源中mosfet功率计算

由于mosfet的功率耗散很大程度上取决于其导通电阻(rds(on)),计算rds(on)看似是一个很好的着手之处。

  https://www.alighting.cn/resource/20150108/123774.htm2015/1/8 11:35:17

功率led照明灯具光学设计

本文要以大型照明灯具为范例,深入探讨高功率发光二极管照明灯具的光学设计。

  https://www.alighting.cn/2011/11/11 11:54:47

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