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led芯片的制造工艺流程

、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于gan(氮化)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。  led芯片的制

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

全球八大led芯片制造商

全球八大led芯片制造商 1,cree   著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00

全球知名led制造商简介

2,cree著名led芯片制造商,美国公司,产品以碳化硅(sic),氮化(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)

  http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/3/34775.html2010/3/3 10:35:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00

[原创]产业政策为led的发展创造政策环境

”,成立了“欧洲光电产业联盟”。   韩国在2000年制定了“氮化半导体开发计划”,成立了光产业振兴会。 美国在2001年启动的“下一代照明计划(ngli)”及2002年设立的

  http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/11/19/115267.html2010/11/19 16:14:00

[原创]国内外led专利竞争情况

0年。主流技术如外延接触层、外延覆盖层、外延量子阱技术、超晶格技术、氮化衬底技术、芯片微结构技术、钝化技术等相差10年左右。在下游产业中,普遍相差10年左右。另外,与外国相比,我

  http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00

国内外led专利竞争情况

0年。主流技术如外延接触层、外延覆盖层、外延量子阱技术、超晶格技术、氮化衬底技术、芯片微结构技术、钝化技术等相差10年左右。在下游产业中,普遍相差10年左右。另外,与外国相比,我

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00

为混乱的led照明市场正本清源

担的高亮度氮化led芯片及半导体照明光源项目,被认证为国家级火炬计划项目。福地电子此次涉足照明行业,主要就是希望为led市场树立一个典范。目前的功率或照明器件封装企业,由于无法获

  http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/20/128215.html2011/1/20 16:46:00

八大全球led制造商

1,cree 著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53

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