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现代mocvd技术的发展与展望

mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源

  https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34

浅析:基于pptc的大功率led照明设计

led的性能和寿命与led的pn结工作温度紧密相关。当led芯片内结温升高10℃时,光通量就会衰减1%,led的寿命就减少50%,过流、过压和过热都会显着地减少led的发光性

  https://www.alighting.cn/2012/3/29 11:36:18

led新材料:奥巴马政府看好的宽带隙电力电子产业

宽带隙半导体的相关技术和新材料,应用最成熟和其主要的用途是发光二极管(led)灯泡,因为能够在更高温度、更高电压以及更极端环境下运行,可极大提升电力电子产品能源使用效率和可靠

  https://www.alighting.cn/news/2014711/n910963642.htm2014/7/11 11:16:16

高导热铝基板制作流程

pcb铝基板是一种独特的金属覆铜板,它具有良好的导热,电气绝缘性和机械加工性能,在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理,可以降低产品运行温度,提高产品功率密度和可靠性,延长产

  https://www.alighting.cn/2012/2/16 11:20:14

热特性表征中的工艺现状分析

本文讲述关于热特性表征中的工艺分析,按照jesd51-14和cie127-2007的规定,利用jedec标准静态试验进行瞬态温度测量提高了发光二极管(led)热特性测量的精确

  https://www.alighting.cn/2011/12/16 13:39:56

分享:解决led散热的问题的一点思路

温度,而成功实践延长 led 灯具的使用寿命并提高实际光通量的目

  https://www.alighting.cn/resource/20111208/126805.htm2011/12/8 13:59:56

探秘:硅上氮化镓(gan)led

硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

led光色度测试中存在的问题探讨

在分析发光二极管(led)光色特性的特殊性和复杂性的基础上,试着寻求得到更加准确数据的测试方法。封装、温度、探测器、测量定律等都可对led参数的测量结果产生重大的影响,只有减小各

  https://www.alighting.cn/resource/20110922/127094.htm2011/9/22 17:25:33

设计师研发独特散热led灯 可用37年

由于采用该热导管,能使led灯泡的温度从现阶段的190华氏度降至131-140华氏度区间,从而其寿命可大幅延长16万小时。如按照每天使用12小时计算,使用寿命为37年。

  https://www.alighting.cn/news/20111017/n195235057.htm2011/10/17 9:39:52

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