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江门第一块led外延片“出炉”

据江门奥伦德外延部厂长翁叶华介绍,目前,5条高亮氮化led外延片生产线已成功验收,2条led外延片生产线正式投产,1条正调试生产高端产品,2条生产线备产,根据市场的需求适时投

  https://www.alighting.cn/news/20110810/100422.htm2011/8/10 9:23:00

奥伦德led外延片生产线投产 预计月产量达3000片

江门奥伦德外延部厂长翁叶华表示,目前5条高亮氮化led外延片生产线已成功验收,2条led外延片生产线正式投产,1条正调试生产高端产品,2条生产线备产,公司将会根据市场的需求适

  https://www.alighting.cn/news/20110810/115407.htm2011/8/10 10:17:38

提高gan发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高ganled外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db

  https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35

ganled电流扩展对其器件特性的影响

ganled的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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