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采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
功，标志着中国人的灯光控制技术水平，进入了世界先进行列。1996年-1999年负责组织开发“hdl-d96全数字智能化调光硅柜”。该项目荣获了1999年度广东省文化厅科技进步一等奖、文
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/3/25/312404.html2013/3/25 15:27:02
【led幕墙屏网】硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米，却具有很高的发光潜力。现在，来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(kit)和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29
本文提出了一种基于mems的led苍片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响，分析结果表明废反射
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34
高效率的绿光led技术、超高效率的黄光led技术等，形成未来市场竞争优势。led产业是我国为数不多的，与国际先进水平差距不大的产业，特别是硅衬底led技术，该技术国际上普遍看好。其
http://blog.alighting.cn/weleddianyuan/archive/2013/3/21/311503.html2013/3/21 19:25:48
碳化硅(sic)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更
https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13
今日，littelfuse公司推出q6008lh1led/q6012lh1led系列三端双向可控硅和q6008lth1led/q6012lth1led系列quadrac晶闸管电
https://www.alighting.cn/pingce/20130319/121902.htm2013/3/19 16:49:13
科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (sic) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这
https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09
科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (sic) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功
https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55
引子 东方，生于斯，小宝宝在写满呵护与祝福的襁褓中微笑熟睡，小脚丫趿着俏皮的木屐踩出快乐童年，摘不完的山那边树林里的果子，听不够的奶奶说的千年故事。长于斯，我们在非常宜居的家园呼
http://blog.alighting.cn/wengjijie/archive/2013/3/17/311082.html2013/3/17 10:05:41
