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源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233208.html2011/8/20 0:33:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258446.html2011/12/19 10:49:42
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261607.html2012/1/8 21:57:46
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http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279535.html2012/6/20 23:07:24
将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan led衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管（led）衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
用使得行业企业抱团发展，从中受益。 led产业源头突破 今年，留美归国博士、铝镓光电总经理庄德津率领他的团队，在全球范围内首次开发出在线氮化铝缓冲层生长技术，这一技术将减少两道氮
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