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将GaN基蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led)，对其施加900ma的电流应力，在老化过程中测量白光led的主要光学参数，考察其光学特
https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led，GaN基蓝、绿、紫和紫外线le
https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03
最新报告显示，2010年第三季生产GaN led的金属有机化学气相沉积(mocvd)设备出货量又创新高，同时在2011和2012年供给增长将进一步超过需求成长的预期下，led过
https://www.alighting.cn/news/20110308/90910.htm2011/3/8 13:50:08
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
2007年4月11日，aixtron ag 宣布三星电机(semco)一月份再订其两台aix 2600g3ht mocvd系统用以生产高亮(hb)蓝、白光GaN led，两台工具
https://www.alighting.cn/news/20070412/117119.htm2007/4/12 0:00:00
日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件，08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中，发光波长最长。
https://www.alighting.cn/news/20080125/118964.htm2008/1/25 0:00:00
近日，aixtron宣布同方订购两套aix2800g4ht42x2英寸mocvd沉积系统，这是在年初下的订单，已在今年q3完成交付。据了解，设备用来生产GaN超亮蓝光led的生
https://www.alighting.cn/news/20101014/119693.htm2010/10/14 0:00:00
