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日本led大厂日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板，配合制程与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光
https://www.alighting.cn/news/20090616/120385.htm2009/6/16 0:00:00
科锐(cree)公司其市场优势来源于其独有的采用sic(碳化硅)衬底生长GaN(氮化镓)技术，科锐的led芯片产品在高端市场上具有很强的竞争力。其高技术水平(高发光效率)引领行
https://www.alighting.cn/news/20100603/120646.htm2010/6/3 0:00:00
二，在2015年7月24日于东京举行的研讨会“GaN掀起能源革命”上发表演讲，说出了上面那句
https://www.alighting.cn/news/20150729/131339.htm2015/7/29 9:31:37
历经过去几年惨烈价格战，led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示，晶电选择切入利基市场，聚焦氮化镓功率元件(ga
https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56
尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑，硅衬底led技术终于迈向了新征程，
https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02
今年，南昌大学江风益教授所率团队研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目一举拿下国家技术发明一等奖，整个led产业为之振奋，打造“南昌光谷”，力争到2020年实现产业规
https://www.alighting.cn/news/20161017/145190.htm2016/10/17 9:40:13
值得一提的是，继“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得2015年国家技术发明一等奖后，半导体照明行业在2016年度科技奖励大会上再次斩获奖项，“多界面光-热耦合白光led封
https://www.alighting.cn/news/20170110/147436.htm2017/1/10 9:38:55
半导体照明是一场成功的技术革命，是第三代半导体材料(GaN)产业化应用的突破口，已经在照明产业的变革中确立了主导地位。随着绿色、低碳、可持续发展的需求，全球半导体照明产业进入新一
https://www.alighting.cn/news/20171025/153292.htm2017/10/25 10:30:13
、GaN hemt等光电半导体产
https://www.alighting.cn/news/20180517/156890.htm2018/5/17 10:16:59
队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化镓(GaN)micro led(厚度2μm)阵列的一次性转移方
https://www.alighting.cn/news/20180620/157271.htm2018/6/20 9:32:48
