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d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性与尺
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00
开。见图5中的3-位环形计数器时序图。第一个时钟周期内，只有phase_red很高，而phase_green和phase_blue则很低。因此，晶体管q6接通，来让电流流过红光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232670.html2011/8/18 1:25:00
、峰值电流控制模式允许转换器调节led电流，而无需复杂的补偿(简化设计)、很容易实现线性和pwm led亮度调节、开关晶体管失效不会损坏led等等。图2给出了降压、升压和升降压转换
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232660.html2011/8/18 1:18:00
源和晶体管整合在一个器件中，不仅节省了pcb面积，而且不会对地平面造成干扰。图3：过流保护电路。便携式设备的电池电量估计越来越多的便携式设备需要高效的电池电量估计方法，通过先进的系
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232658.html2011/8/18 1:17:00
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232649.html2011/8/17 22:45:00
点为：● 具有８通道功率ｄｍｏｓ晶体管输出，每个通道可连续输出１５０ｍａ的电流；● 各输出回路导通电阻低至５ω；● 每个输出通道典型限定能力为５００ｍａ；● 输出端为ｏｃ门形式，外
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232646.html2011/8/17 22:43:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232645.html2011/8/17 22:42:00
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了alGaN势垒层的应变弛豫度对高al含量alGaN/GaN高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55
