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《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/201334/n495549364.htm2013/3/4 15:03:15
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光器所保持的50
https://www.alighting.cn/news/2009618/V19997.htm2009/6/18 11:31:23
比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划,目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-si)，并开发高效率、大功率白光led，致力于推动氮化
https://www.alighting.cn/news/2009721/V20310.htm2009/7/21 11:27:11
伦斯勒理工学院(rensselaerpolytechnicinstitute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合led和功率电晶体。研
https://www.alighting.cn/news/201371/n318353327.htm2013/7/1 10:13:24
β-ga2o3不仅可用于功率元件，而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等，应用范围很广。其中，使用GaN类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发”氮化镓”(gallium nitride、GaN)衬底，封测
https://www.alighting.cn/news/20141021/n168566551.htm2014/10/21 9:55:55
用氮化镓(GaN)制造的蓝光led成
https://www.alighting.cn/news/20141015/n162266402.htm2014/10/15 9:44:13
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从GaN基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
